选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
19000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6743 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
1000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRD2PAK |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
65400 |
23+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8168 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
24 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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800 |
11+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
2000 |
17+ |
进口原装支持含税 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
7343 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
7343 |
16+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-263-3 (D2PAK) |
800 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
IRFS4610采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFS4610图片
IRFS4610TRLPBF价格
IRFS4610TRLPBF价格:¥4.0046品牌:International
生产厂家品牌为International的IRFS4610TRLPBF多少钱,想知道IRFS4610TRLPBF价格是多少?参考价:¥4.0046。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFS4610TRLPBF批发价格及采购报价,IRFS4610TRLPBF销售排行榜及行情走势,IRFS4610TRLPBF报价。
IRFS4610PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFS4610功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFS4610PBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 90nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS4610TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS4610TRRPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 90nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube