| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263-D2PAK |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
1000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
581 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263-D2PAK |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳美顺电子科技有限公司1年
留言
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IRD2-PAK |
11000 |
10MX |
原厂直销 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
5000 |
23+ |
进口原装现货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO263 |
13000 |
22+ |
全新原装现货.诚信经营.假一赔十 欢迎来电查询 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IR/INFIOEOND2-PAK |
32500 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IR/美国国际整流D2PAK |
5000 |
23+ |
公司只做原装,可配单 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
59630 |
23+24 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
32500 |
23+ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501357 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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IRFS31N20D图片
IRFS31N20DHR价格
IRFS31N20DHR价格：￥12.8093品牌：International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRFS31N20DHR多少钱，想知道IRFS31N20DHR价格是多少？参考价：￥12.8093。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFS31N20DHR批发价格及采购报价，IRFS31N20DHR销售排行榜及行情走势，IRFS31N20DHR报价。
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IRFS31N20DPBF 深圳市华亚科宇半导体有限公司
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IRFS31N20D中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFS31N20D制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK
IRFS31N20DHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRFS31N20DPBF功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS31N20DTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFS31N20DTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFS31N20DTRLP功能描述:MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS31N20DTRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFS31N20DTRRP功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
