| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 252 |
161314 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD-PAK |
6000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO252 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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62693 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO252-2 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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6000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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VISHAY/SEMI原厂封装 |
9025 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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IRTO-252 |
2320 |
2306+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAYTO-252-2 |
10469 |
19+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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-TO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
500888 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRD-PAK |
48000 |
2022+ |
只做原装,原装,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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IRD-PAK |
21340 |
2105+ |
原装正品 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IRD-PAK |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
IRFR1N60A采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR1N60A图片
IRFR1N60APBF价格
IRFR1N60APBF价格：￥3.1079品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR1N60APBF多少钱，想知道IRFR1N60APBF价格是多少？参考价：￥3.1079。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR1N60APBF批发价格及采购报价，IRFR1N60APBF销售排行榜及行情走势，IRFR1N60APBF报价。
IRFR1N60A中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR1N60A功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR1N60APBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR1N60ATR功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR1N60ATRL功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR1N60ATRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR1N60ATRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR1N60ATRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR1N60ATRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
