| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD-pak |
3920 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
2332 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
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IRDPAK |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRD-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRDPAK |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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INFINEONTO252 |
3200 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
663 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
24250 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
36488 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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IRTO-252 |
35890 |
23+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
500887 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
IRFR18N15采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR18N15图片
IRFR18N15DTRLP价格
IRFR18N15DTRLP价格：￥0.0000品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRFR18N15DTRLP多少钱，想知道IRFR18N15DTRLP价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR18N15DTRLP批发价格及采购报价，IRFR18N15DTRLP销售排行榜及行情走势，IRFR18N15DTRLP报价。
IRFR18N15DTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR18N15制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFR18N15D功能描述:MOSFET N-CH 150V 18A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR18N15DHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN DPAK - Bulk
IRFR18N15DPBF功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR18N15DTR功能描述:MOSFET N-CH 150V 18A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR18N15DTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR18N15DTRL功能描述:MOSFET N-CH 150V 18A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR18N15DTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR18N15DTRLP制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.125Ohm;ID 18A;D-Pak(TO-252AA);PD 110W 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN TO-220 - Tape and Reel
IRFR18N15DTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 150V 18A 125mOhm 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
