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IRFU9024PBF	文件：1.97285 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9024PBF	文件：1.17972 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-60V,RDS(on)=0.28廓,ID=-8.8A) Description ThirdGenerationHEXFETsMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR9024) •Stra	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU9024PBF	文件：4.49216 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9024PBF	文件：4.48925 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFU9024PBF	文件：1.24375 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR9024,SiHFR9024) •Straightlead(IRFU9024,SiHFU9024) •Availableintapeandreel •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9024PBF	文件：5.21397 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD9024N	文件：621.35 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU9024	文件：680.64 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LPM9024	文件：503.6 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementPowerMOSFET	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半导体微源半导体股份有限公司	POWER
LU9024	文件：995.73 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
M9024A	文件：2.71089 Mbytes Page：16 Pages	InterfaceModulesandAdaptersforPXIe	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
M9024A	文件：2.60496 Mbytes Page：14 Pages	18-slotPXIeChassis	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
M9024A	文件：2.05861 Mbytes Page：13 Pages	M9010APXIeChassis	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
MAX9024	文件：353.43 Kbytes Page：8 Pages	Micropower,Ultra-Small,Single/Dual/Quad,Single-SupplyComparators GeneralDescription TheMAX9021/MAX9022/MAX9024single/dual/quadcomparatorsareoptimizedforlow-powerconsumptionwhilestillprovidingafastoutputresponse.Theyaredesignedforsingle-supplyapplicationsfrom2.5Vto5.5V,butcanalsooperatefromdualsupplies.Thesecomparatorshavea	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim

详细参数

型号：
IRFD9024
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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