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IRFD113
厂商型号

IRFD113

功能描述

POWER-MOSFET FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

文件大小

112.88 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 GE Solid State
企业简称

GESS

中文名称

GE Solid State

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-1 22:50:00

IRFD113规格书详情

POWER-MOSFET FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

This series of N-Channel Enhancement-mode Power MOSFET utilizes GEs advanced Power DMOS technology to achieve low on-resistance with excellent device ruggedness and reliability.

This design has been optimized to give superior performance in most switching applications including: switching power supplies, inverters, converters and solenoid/relay drivers. Also, the extended safe operating area with good linear transfer characteristics makes it well suited for many linear applications such as audio amplifiers and servo motors.

产品属性

  • 型号:

    IRFD113

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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