| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VishayD2PAK |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IR原厂原装 |
1001 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
2938 |
1922+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
87674 |
22+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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VishayD2PAK |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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VishayD2PAK |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
7500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世D2PAK |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
50000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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VISHAYTO-263 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
2938 |
1932+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49400 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
79999 |
2022+ |
IRFBF30S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBF30S图片
IRFBF30S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBF30S功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30STRL功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBF30STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30STRR功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
