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IRFBA1405P规格书详情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this MOSFET are a 175oC junction operating temperature, fast switching speed and improved ruggedness in single and repetitive avalanche.
Benefits
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Typical Applications
Electric Power Steering (EPS)
Anti-lock Braking System (ABS)
Wiper Control
Climate Control
Power Door
产品属性
- 型号：
IRFBA1405P
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1746+ |
TO220 |
8862 |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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IR/VISHAY |
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TO-220 |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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TO-220 |
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询价 |
