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IRFBA1404P中文资料PDF规格书

IRFBA1404P
厂商型号

IRFBA1404P

功能描述

Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)

文件大小

115.57 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-9 22:30:00

IRFBA1404P规格书详情

Description

Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Benefits

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Increase Current Handling Capability

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Dynamic dv/dt Rating

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

产品属性

  • 型号:

    IRFBA1404P

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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