选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
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INFINEONTO-220 |
10000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
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IRTO-220 |
9250 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
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IRTO-220 |
2120 |
13+ |
绝对真实库存 百分百原装正品 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
100000 |
22+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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32320 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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INFINEONSOP |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TO-220 |
12825 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
5520 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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IR/INFINEONTO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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利广微科技(深圳)有限公司2年
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INFINEON/英飞凌标准封装 |
50000 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
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深圳兆威电子有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IR/国际整流器TO-220 |
8000 |
2122+ |
原装正品,假一赔十! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO220 |
18920 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市华康联电子科技有限公司15年
留言
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INFINEONTO220 |
20000 |
23+ |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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IR原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
IRFB4410采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
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更多IRFB4410功能描述:MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFB4410PBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4410ZGPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4410ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube