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IRF7807Z中文资料PDF规格书

IRF7807Z
厂商型号

IRF7807Z

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

206.29 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-25 22:50:00

IRF7807Z规格书详情

Benefits

● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

● Ultra-Low Gate Impedance

● Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

● 100 Tested for RG

Applications

● Control FET for Notebook Processor Power

● Synchronous Rectifier MOSFET for

Graphics Cards and POL Converters in

Networking and Telecommunication

Systems

产品属性

  • 型号:

    IRF7807Z

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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