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IRF7807VD1	文件：1.14942 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFET®MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1PBF	文件：1.14942 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFET®MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD2	文件：115.03 Kbytes Page：9 Pages	FETKY??MOSFET / SCHOTTKY DIODE Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFETMOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD2PBF	文件：138.25 Kbytes Page：9 Pages	FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFET®MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD2PbF	文件：143.63 Kbytes Page：9 Pages	Co-Pack N-channel HEXFET짰 Power MOSFET and Schottky Diode Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFET®MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD2TRPBF	文件：143.63 Kbytes Page：9 Pages	Co-Pack N-channel HEXFET짰 Power MOSFET and Schottky Diode Description TheFETKY™familyofCo-PackHEXFET®MOSFETsandSchottkydiodesoffersthedesigneraninnovative,boardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETpowerMOSFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1	文件：135 Kbytes Page：9 Pages	Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1PBF	文件：1.15469 Mbytes Page：9 Pages	LOW CONDUCTION LOSSES	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1PBF_15	文件：1.15469 Mbytes Page：9 Pages	LOW CONDUCTION LOSSES	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1PBF-1	文件：238.95 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1PBF-1_15	文件：238.95 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1TR	文件：135 Kbytes Page：9 Pages	Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7807VD1TRPBF	文件：1.15469 Mbytes Page：9 Pages	Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET and schottky diode	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
7807	文件：99.02 Kbytes Page：2 Pages	RovNavMk4LBLTransceiver(Discontinued)	SONARDYNESonardyne sound in depth Sonardyne sound in depth	SONARDYNE
7807A	文件：102.29 Kbytes Page：3 Pages	RG-58type,17AWGsolid.044barecopperconductor,gas-injectedfoamHDPEinsulation	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ADS7807	文件：524.21 Kbytes Page：23 Pages	Low-Power16-BitSamplingCMOSANALOG-to-DIGITALCONVERTER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN
ADS7807	文件：672.36 Kbytes Page：25 Pages	Low-Power,16-Bit,SamplingCMOSANALOG-to-DIGITALCONVERTER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN
ADS7807	文件：526.93 Kbytes Page：24 Pages	Low-Power,16-Bit,SamplingCMOSANALOG-to-DIGITALCONVERTER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN
ADS7807P	文件：672.36 Kbytes Page：25 Pages	Low-Power,16-Bit,SamplingCMOSANALOG-to-DIGITALCONVERTER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN

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详细参数

型号：
IRF7807VD
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
FETKY™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多IRF7807VD供应商更新时间2024-5-18 10:50:00

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