IRF7341TRMOS(场效应管)技术资料参数市场行情第2页-114ic电子网

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ICM7341	文件：167.59 Kbytes Page：9 Pages	SINGLE12/10/8-BITVOLTAGE-OUTPUTDACS	ICMICIC MICROSYSTEMS 集成电路微系统股份有限公司	ICMIC
ICM7341M	文件：167.59 Kbytes Page：9 Pages	SINGLE12/10/8-BITVOLTAGE-OUTPUTDACS	ICMICIC MICROSYSTEMS 集成电路微系统股份有限公司	ICMIC
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ICM7341T	文件：167.59 Kbytes Page：9 Pages	SINGLE12/10/8-BITVOLTAGE-OUTPUTDACS	ICMICIC MICROSYSTEMS 集成电路微系统股份有限公司	ICMIC
IRF7341	文件：134.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341	文件：379.66 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnology TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboardspace.Thepa	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
IRF7341GPBF	文件：205.3 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341GTRPbF	文件：205.3 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341IPBF	文件：138.32 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341PBF	文件：158.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341PBF	文件：163.97 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341Q	文件：156.51 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFET’sarea17	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341QPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341QPBF	文件：231.77 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341QTRPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341TR	文件：117.72 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7341TR	文件：379.66 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnology TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboardspace.Thepa	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
IRF7341TRPBF	文件：1.1291 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多IRF7341TRMOS(场效应管)供应商更新时间2024-6-19 17:18:00

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