| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
留言
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IRSOIC8 |
56000 |
23+ |
公司只做原装,支持订货,诚信经营 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRSOP-8 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳硅原半导体有限公司9年
留言
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IRSOP-8 |
12594 |
2022+ |
全新原装 正品现货 诚信经营 终生质保 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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IORSOP8 |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司13年
留言
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IORSOP-8P |
5825 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IRSMD |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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IRNA/ |
31 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRSOT-3733&NBS |
3200 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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IORSOP8 |
79 |
07+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8P |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IOR原厂原装 |
4951 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IORSOP8 |
8000 |
23+ |
全新原装现货,欢迎来电咨询 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IR |
67069 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IORSMD-8 |
3200 |
22+ |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSOP8 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
62 |
23+ |
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上海涵恩科技有限公司（原上海凌岳电子）10年
留言
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IR |
5000 |
2023+ |
进口原装现货 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
IRF7353采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7353图片
IRF7353D2TR价格
IRF7353D2TR价格：￥2.9977品牌：International
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IRF7353中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7353D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7353D1PBF功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 32mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7353D1TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7353D1TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 6.5A 32mOhm 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7353D2功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7353D2PBF功能描述:MOSFET 30V FETKY 20 VBRD 29mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7353D2PBFTR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
IRF7353D2QPBF制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET COPACK WITH SCHOTTKY, 30V, 6.5A, 29 MOHM, - Rail/Tube
IRF7353D2QTRPBF制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET COPACK WITH SCHOTTKY, 30V, 6.5A, 29 MOHM, - Tape and Reel
IRF7353D2TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
