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IRF730中文资料PDF规格书

厂商型号	IRF730
功能描述	N-Channel Power MOSFET
文件大小	341.04 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	Nell Semiconductor Co., Ltd
企业简称	NELLSEMI【尼爾半導體】
中文名称	尼爾半導體股份有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2024-6-12 8:45:00

IRF730规格书详情

DESCRIPTION

The Nell IRF730 are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation.

FEATURES

● RDS(ON) = 1.00Ω @ VGS = 10V

● Ultra low gate charge(22nC Max.)

● Low reverse transfer capacitance

(CRSS = 4pF typical)

● Fast switching capability

● 100 avalanche energy specified

● Improved dv/dt capability

● 150°C operation temperature

产品属性

型号：
IRF730
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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