| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IORSOP8 |
21055 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
19006 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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IRSOP8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRSOP-8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRSO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRSO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IR/FSCTO-220 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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HARRIS(哈利斯)TO220 |
6000 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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SAMSUNG/三星TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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MOT |
9 |
8526 |
公司优势库存 热卖中! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FTO-220AB |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
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IRTO220 |
2600 |
2022 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FTO-220AB |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FTO-220AB |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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IRF723图片
IRF723中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF723制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF7233功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7233PBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7233TR功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7233TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
IRF7233TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF723FI功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IRF723R功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB
