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UZ5806	文件：109.92 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Fused-in-glass,metallurgically-bonded5wattzeners. FEATURES •2TimesGreaterSurgeRatingthanConventional10WattZeners •SmallPhysicalSize	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ5806	文件：265.37 Kbytes Page：3 Pages	POWERZENERS5WATT POWERZENERS5WATT AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
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UZ5806

文件：109.92 Kbytes

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POWERZENERS

DESCRIPTION Fused-in-glass,metallurgically-bonded5wattzeners. FEATURES •2TimesGreaterSurgeRatingthanConventional10WattZeners •SmallPhysicalSize

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

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POWERZENERS5WATT

POWERZENERS5WATT AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

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AMMSEMI

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AMMSEMI

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详细参数

型号：
IRF5806
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF5806供应商更新时间2024-6-6 10:20:00

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