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IRF5806	文件：218.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V) Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●Ultra	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5806PBF	文件：203.83 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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5806	文件：2.16189 Mbytes Page：16 Pages	2461-ECGraphicalPotentiostat	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司	TEKTRONIX
5806A	文件：86 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeOscilloscopeProbes	POMONA Pomona Electronics	POMONA
AD5806	文件：395.36 Kbytes Page：6 Pages	TapeandReelPackaging	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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AK5806	文件：1.54942 Mbytes Page：18 Pages	MultiCoreDSPwithSRC	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
BLD5806	文件：1.77768 Mbytes Page：8 Pages	In-siturelativehumidityandtemperature-	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
CDC5806	文件：112.86 Kbytes Page：8 Pages	THREEPLLsBASEDCLOCKGENERATORFORDIGITALTVAPPLICATIONS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDC5806	文件：340.82 Kbytes Page：13 Pages	THREEPLLsBASEDCLOCKGENERATOR	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CDC5806PW	文件：340.82 Kbytes Page：13 Pages	THREEPLLsBASEDCLOCKGENERATOR	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CDC5806PWR	文件：340.82 Kbytes Page：13 Pages	THREEPLLsBASEDCLOCKGENERATOR	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
DM5806	文件：270.47 Kbytes Page：64 Pages	DM5806DATAMODULEDIGITALI/OBOARD	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DW5806	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
G5806	文件：73.44 Kbytes Page：1 Pages	SingleCellLi-IonBatteryLinearCharger	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技	GMT
HM5806	文件：889.57 Kbytes Page：7 Pages	mobilepowersolutionIC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HP5806	文件：725.28 Kbytes Page：25 Pages	PRECISIONBAROMETERANDALTIMETERSENSOR	HOPEHOPE Microelectronics CO., Ltd. 希望微深圳市希望微电子有限公司	HOPE
LV5806MX	文件：84.24 Kbytes Page：5 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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详细参数

型号：
IRF5806
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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