首页 >IRF5803D2>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

IRF5803D2

FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds(on)=112ohm)

VDSS=-40V RDS(on)=112mΩ SchottkyVf=0.51V Description TheFETKY™familyofCo-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoach

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF5803D2PBF

FETKY 짰MOSFET & Schottky Diode

VDSS=-40V RDS(on)=112mΩ SchottkyVf=0.51V Description TheFETKY™familyofCo-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorandpowermanagementapplications.HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoach

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF5803D2PBF_15

Ideal For Buck Regulator Applications

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF5803D2TRPBF

Co-packaged HEXFET Power

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    IRF5803D2

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    FETKY™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IOR
23+
PLCC
18000
询价
IOR
23+
SOP8
865
询价
IOR
01+
SOP-8P
160
询价
IR
2017+
SOP8
55255
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增
询价
IR
05+
原厂原装
20048
只做全新原装真实现货供应
询价
IR
22+
SOP-3.9-8P
2560
绝对原装!现货热卖!
询价
IOR
23+
SOP8
8890
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询
询价
IR
24+
SOP-8
5000
只做原装公司现货
询价
SOP
27413
只做原装货值得信赖
询价
IR
03/04+
SOP/8
110
原装现货海量库存欢迎咨询
询价
更多IRF5803D2供应商 更新时间2024-5-9 17:45:00