| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
2700 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
160050 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
223 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
16265 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
11997 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-263 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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INFINEONTube |
75000 |
23+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
8664 |
2020+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
4415 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEON/IRTO-263-3 (D2PAK) |
800 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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800 |
17+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-263-3 (D2PAK) |
800 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
8000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK(TO263) |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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INFINEON/IRTO263 |
25000 |
23+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6184 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
IRF1407S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1407S图片
IRF1407STRRPBF价格
IRF1407STRRPBF价格：￥5.7881品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRF1407STRRPBF多少钱，想知道IRF1407STRRPBF价格是多少？参考价：￥5.7881。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF1407STRRPBF批发价格及采购报价，IRF1407STRRPBF销售排行榜及行情走势，IRF1407STRRPBF报价。
IRF1407STRLPBF资讯
IRF1407S 75V100A IR整流器 TO263 N沟道 功率MOS管 晶体管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF1407S75V100AIR整流器TO263N沟道功率MOS管
IRF1407STRLPBF
IRF1407STRLPBF
IRF1407STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1407S功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1407SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF1407SPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 100A, 7.8 MOHM, 160 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 100A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 75V 100A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 75V 100A D2PAK
IRF1407STRL制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 100A, 7.8 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
IRF1407STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF1407STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1407STRR功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1407STRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF1407STRRPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
