选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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IR/VISHAYSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
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INFINEON原封 □ |
21500 |
23+ |
INFINEON优势 /原装现货长期供应现货支持 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO-263 |
256 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
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IRTO-263 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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IRSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳兆威电子有限公司5年
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IRD2PAK |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IRTO-220AB |
6176 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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IRTO-220铁头 |
10 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
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Infineon TechnologiesTO2203 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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IRTO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IRTO-262 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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IRNA/ |
200 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
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IR原厂封装 |
12500 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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IRTO-220 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
IRF1405Z采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF1405Z图片
IRF1405ZSTRL7PP价格
IRF1405ZSTRL7PP价格:¥13.2432品牌:International
生产厂家品牌为International的IRF1405ZSTRL7PP多少钱,想知道IRF1405ZSTRL7PP价格是多少?参考价:¥13.2432。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF1405ZSTRL7PP批发价格及采购报价,IRF1405ZSTRL7PP销售排行榜及行情走势,IRF1405ZSTRL7PP报价。
IRF1405Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1405Z功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405ZHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF1405ZL功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405ZL-7PPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405ZLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405ZS功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405ZS-7P功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405ZS-7PPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405ZSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK