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IRF1010EZSPBF中文资料PDF规格书

IRF1010EZSPBF
厂商型号

IRF1010EZSPBF

功能描述

AUTOMOTIVE MOSFET

文件大小

285.31 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 22:30:00

IRF1010EZSPBF规格书详情

Description

This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Features

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

● Lead-Free

产品属性

  • 型号:

    IRF1010EZSPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 58nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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