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IRF3710ZSPBF	文件：323.95 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI3710	文件：161.21 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFN3710	文件：132.03 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.028ohm,Id=45A) 100Volt,0.028Ω,HEXFET Generation5HEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignforwhichHEXFETsarewellknown,prov	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP3710	文件：185.43 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025W,Id=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP3710	文件：334.79 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FullyAvalancheRated •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤25mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP3710PBF	文件：234.89 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP3710PBF	文件：233.93 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.025廓,ID=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710Z	文件：218.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710Z	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤18mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR3710ZPBF	文件：4.26849 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710ZPBF	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRFR3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710ZPBF	文件：4.26598 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：275.12 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710ZTRL	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZTRLPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710ZTRLPbF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
IR3710MTRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器
包装：
卷带（TR）
输出类型：
晶体管驱动器
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出阶段：
1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
3V ~ 28V
频率 - 开关：
最高 1MHz
同步整流器：
是
时钟同步：
无
控制特性：
限流，使能，电源良好，软启动
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-MLPQ（3x3）
描述：
IC REG CTRLR BUCK 16-MLPQ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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