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IRFR120Z	文件：263.99 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR120ZPBF	文件：263.99 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR120ZPBF	文件：324.18 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR120ZPBF	文件：4.26012 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR120ZPBF	文件：4.27158 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFRU120A	文件：258.5 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFRU120A	文件：256.25 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU120	文件：56 Kbytes Page：7 Pages	8.4A,100V,0.270Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFU120	文件：179.46 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR120) •Str	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU120	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU120	文件：4.22483 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU120	文件：1.8679 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
IRFU120	文件：345.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU120	文件：838.17 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR120,SiHFR120) •Straightlead(IRFU120,SiHFU120) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU120A	文件：397.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU120ATU	文件：258.5 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU120N	文件：3.73792 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR120N)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU120N	文件：247.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU120N	文件：152.65 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU120NPBF	文件：395.05 Kbytes Page：11 Pages	FastSwitching VDSS=100V RDS(on)=0.21Ω ID=9.4A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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