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IPT65R080CFD7	文件：1.4202 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device Features •Ultra-fastbodydiode •650Vbreakdownvoltage •Best-in-classRDS(on) •Reducedswitchinglosses •LowRDS(on)dependencyovertemperature Benefits •Excellenthardcommutationruggedness •Extrasafetymarginfordesignswithincreasedbusvoltage •Enablingincreasedpowe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPT65R080CFD7XTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-PowerSFN 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：HIGH POWER_NEW	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPT65R080CFD7

文件：1.4202 Mbytes

Page：14 Pages

650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

Features •Ultra-fastbodydiode •650Vbreakdownvoltage •Best-in-classRDS(on) •Reducedswitchinglosses •LowRDS(on)dependencyovertemperature Benefits •Excellenthardcommutationruggedness •Extrasafetymarginfordesignswithincreasedbusvoltage •Enablingincreasedpowe

InfineonInfineon Technologies AG

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IPT65R080CFD7XTMA1

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包装：管件封装/外壳：8-PowerSFN 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：HIGH POWER_NEW

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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IPDQ65R080CFD7

文件：1.25216 Mbytes

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MOSFET650VCoolMOSªCFD7SJPowerDevice

Features •Ultra-fastbodydiode •650Vbreakdownvoltage •Best-in-classRDS(on) •Reducedswitchinglosses •LowRDS(on)dependencyovertemperature

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