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IPTG011N08NM5	文件：1.34933 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPTC011N08NM5	文件：1.74239 Mbytes Page：13 Pages	MOSFETOptiMOSTM5Power-Transistor,80V Features •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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IPTG011N08NM5

文件：1.34933 Mbytes

Page：11 Pages

OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.

InfineonInfineon Technologies AG

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IPTC011N08NM5

文件：1.74239 Mbytes

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MOSFETOptiMOSTM5Power-Transistor,80V

Features •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

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更多IPTG011N08NM5供应商更新时间2024-5-23 12:28:00

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