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IPI032N06N3G	文件：483.4 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPI032N06N3GAKSA1	文件：1.00484 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IIPP032N06N3	文件：338.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA032N06N3	文件：260.649 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA032N06N3G	文件：337.72 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPP032N06N3G	文件：2.27532 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
IPI032N06N3G
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS?3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

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