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IIPP60R160C6	文件：338.21 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.16Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPW60R160C6	文件：335.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤160mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA60R160C6	文件：2.20516 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSC6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPA60R160C6	文件：1.08909 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPA60R160C6	文件：315.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackaging •Highspeedswitching •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB60R160C6	文件：2.20516 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSC6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB60R160C6	文件：1.08909 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB60R160C6	文件：189.32 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP60R160C6	文件：1.08909 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPP60R160C6	文件：338.21 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.16Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP60R160C6	文件：2.20516 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSC6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPB60R160C6XT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

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