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IPA60R180C7_1508	文件：1.14682 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) •IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)EossandRDS(on)Qg •BestinclassRDS(on)/package •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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更多IPA60R180C7_15供应商更新时间2024-6-11 8:48:00