IPA60R190E6规格书行情报价英飞凌Infineon-114ic电子网

首页 >IPA60R190E6>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IPA60R190E6	文件：267.7 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA60R190E6	文件：1.15584 Mbytes Page：17 Pages	600V CoolMOS E6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPA60R190E6	文件：958.99 Kbytes Page：18 Pages	600V CoolMOS™ E6 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPA60R190E6	文件：958.98 Kbytes Page：18 Pages	600V CoolMOS™ E6 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPA60R190E6_15	文件：958.98 Kbytes Page：18 Pages	600V CoolMOS™ E6 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IIPP60R190E6	文件：338.26 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPW60R190E6	文件：335.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP60R190E6	文件：1.15584 Mbytes Page：17 Pages	600VCoolMOSE6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPP60R190E6	文件：338.26 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP60R190E6	文件：958.98 Kbytes Page：18 Pages	600VCoolMOS™E6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPP60R190E6	文件：958.99 Kbytes Page：18 Pages	600VCoolMOS™E6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPW60R190E6	文件：1.15584 Mbytes Page：17 Pages	600VCoolMOSE6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPW60R190E6	文件：335.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW60R190E6	文件：958.99 Kbytes Page：18 Pages	600VCoolMOS™E6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPW60R190E6	文件：958.98 Kbytes Page：18 Pages	600VCoolMOS™E6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IPA60R190E6
功能描述：
MOSFET 600V CoolMOS E6 Power Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇集芯电子有限公司	IPA60R190E6	INFINEON	22+	TO-220F	3000	进口原装正品现货,假一罚十价格合理	询价
深圳兆威电子有限公司	IPA60R190E6	Infineon/英飞凌	2017+	TO-220	7500	原装正品现货,可开13点税	询价
深圳市恒意法电子有限公司	IPA60R190E6	INFINEON	21+	TO-220	5000	专营原装正品现货,当天发货,可开发票!	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	IPA60R190E6	INFINEON/英飞凌	2024+实力库存	TO-220	235	只做原厂渠道可追溯货源	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IPA60R190E6	Infineon(英飞凌)	22+	N/A	12000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	IPA60R190E6	INFINEON	22+	TO-220F	5000	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市天成基业科技有限公司	IPA60R190E6	infineon		N/A	8000	有挂就有正品原装	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	IPA60R190E6	INFINEON	23+	TO-220F	6000	全新原装现货、诚信经营!	询价
深圳市华康联电子科技有限公司	IPA60R190E6	INFINEON	23+	TO-220F	20000		询价
深圳市凌特半导体科技有限公司	IPA60R190E6	Infineon英飞凌专营		TO-220F	9000	原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期	询价

更多IPA60R190E6供应商更新时间2024-5-6 11:34:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号