AgigA Tech针对需要关键数据备份应用推出业界首款高速高密度无电池非易失性RAM系统

2009-6-13 9:52:00
  •   2009年6月9日,北京讯,日前,赛普拉斯半导体公司的子公司美国技佳科技有限公司 (AgigA Tech Inc.) 推出了业界首款高速、高密度、非易失性 RAM 系统。该新型 AGIGARAM? 非易失性系统 (NVS) 技术所实现的密度介于 4MB (32Mb) 到2GB (16Gb) 之间

  2009年6月9日,北京讯,日前,赛普拉斯半导体公司的子公司美国技佳科技有限公司 (AgigA Tech Inc.) 推出了业界首款高速、高密度、非易失性 RAM 系统。该新型 AGIGARAM? 非易失性系统 (NVS) 技术所实现的密度介于 4MB (32Mb) 到2GB (16Gb) 之间,传输峰值速度与 DRAM 的相当。AGIGARAM  是多种系统的理想选择,如存储、网络、通信、工业计算和控制、医疗设备、游戏系统、ATM 和销售点终端、打印机、扫描仪、复印机、汽车和军事系统等。

  至今,高速、非易失性存储器,特别是高性能 RAM 的可选范围非常有限。配合赛普拉斯推出的nvSRAM,AGIGARAM 系统将非易失性解决方案扩展到了更高的密度水平。与该系统最接近的需要电池供电的高密度系统,尽管速度较快,但同时受制于诸多因素,如有害物质问题、设计复杂性增加、充电时间过长、工作寿命有限以及整体拥有成本过高等。

  AGIGARAM 系统通过采用新型的无电池电源|稳压器子系统,同时配合高速同步 DRAM、NAND 闪存、智能电源管理和专有的系统控制器,有效解决了上述问题。在正常工作期间,AGIGARAM 的功能与同步DRAM (SDRAM) 的一样。但在断电情况下,它就会用储存在电源子系统中的电能自动将数据保存到 NAND 闪存上。供电恢复后,数据则将传回 SDRAM。上述功能可有效应对供电中断和电力损失等突发情况,也可用于即时恢复、写入缓存与记录、数据记录以及服务与维护处理等。如欲了解有关 AGIGARAM 的更多信息,欢迎访问:。

  Objective Analysis 公司总监 Jim Handy 表示:“当前的存储技术都不太完善。DRAM 是易失性的,闪存速度太慢,采用电池供电的 SRAM 可靠性不高,其他技术在高密度使用情况下成本又过于昂贵。而像美国技佳科技有限公司提供的将 DRAM 和 NAND 各自的最佳特性结合在一起的产品,很可能会得到市场的广泛认同。”

  美国技佳科技有限公司首席执行官 Ron Sartore 指出:“美国技佳科技有限公司以其独特的技术与专长为高速、高密度、非易失性 RAM 提供了一款出色的解决方案。而且与赛普拉斯的关系将能使我们通过一流的销售网络服务于广大客户。”

  AGIGARAM 产品和特性

  美国技佳科技有限公司宣布推出了两个不同的 AGIGARAM 产品系列:BALI 和 CAPRI。

  BALI 产品特性

  主要面向通用、嵌入式及工业等应用:

  ·4-MB 到 64-MB 的密度

  ·高速 100 MHz SDRAM

  ·每秒 200 MB 的峰值传输速度

  ·I2C命令/控制总线

  ·4 MB 到 32 MB 的 VCC为 3.3V,64 MB 的VCC 为 5.0V

  ·封装:200 引脚的 SO-DIMM 或夹层卡 (Mezzanine card)

  ·工作范围介于 0 至 70 摄氏度之间

  ·工作寿命分别为 3年、5年和10年

  ·集成式无电池电源组

  CAPRI 产品特性

  该产品主要面向高端存储、工业、网络和通信等应用,容量从 256 MB 到 2 GB 不等,使用更高速度的 DDR-800 接口。其还集成了无电池电源组。接下来的版本将进一步提高容量。

  供货情况

  AGIGARAM BALI 系列产品目前已经实现量产,并可提供评估套件。基于 DDR2 的更高端产品CAPRI 系列将于今年 7 月提供样品,预计于 2009 年 9 月开始量产。美国技佳科技有限公司网站上提供了完整的文档、产品型号、产品简介和数据 手册等资料。