制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 43.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 72 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 161 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 391 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: CoolMOS

系列: CoolMOS CFDA

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 6 ns

高度: 21.1 mm

长度: 16.13 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 18 ns

240

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 85 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

宽度: 5.21 mm

单位重量: 6 g