制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET?

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel? 得捷定制卷带

Product Status

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

175 毫欧 @ 6.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

19 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

350 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

38W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D-Pak

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IRFR9024