FDP51N25 TO-220-3 51A 250V N-Channel MOSFET

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 51 A

Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 70 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 320 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 130 ns

高度: 16.3 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 465 ns

系列: FDP51N25

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 98 ns

典型接通延迟时间: 62 ns

宽度: 4.7 mm

单位重量: 2 g

SI4431BDY-T1-GE3

VND7020AJTR

AD5593RBCBZ-RL7

ADN8834ACBZ-R7

ADN8835ACPZ-R7

TPS22959DNYR

TPS22965DSGR

TPS54620RGYR

SN74LVC1T45DCKR

FS32K148HRT0VLQR

BTS7200-2EPA

ARG82801KLVATR

LP8860AQVFPRQ1

CY96F6A6RBPMC-GS-UJE1

SI1029X-T1-GE3

TPS54360BQDDARQ1