类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Vishay

系列 -

包装 卷带（TR）剪切带（CT）

零件状态 停产

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 60 毫欧 @ 4.7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） -

功率 - 最大值 1.1W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

产品编号 SI9933

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