製造商: GaN Systems

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: GaN-on-Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: DIE

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V

Id - C連續漏極電流: 30 A

Rds On - 漏-源電阻: 63 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V， + 7 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1.1 V

Qg - 閘極充電: 6.1 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

通道模式: Enhancement

公司名稱: GaNPX

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

系列: GS665xx

晶體管類型: E-HEMT Power Transistor

品牌: GaN Systems

開發套件: GS665MB-EVB， GS-EVB-HB-66508B-ON1， GSP665x-EVBIMS2， GS1200BTP-EVB， GSWP300W-EVBPA， GS66508B-EVBDB1

下降時間: 5.2 ns

濕度敏感: Yes

產品類型: MOSFET

上升時間: 3.7 ns

原廠包裝數量: 250

子類別: MOSFETs

標準斷開延遲時間: 8 ns

標準開啟延遲時間: 4.1 ns

零件號別名: GS66508B-E01-MR