NTR4503NT1G ON 30V 110mOhm 0.42W MOSFET - SOT-23 优势产品原装现货进口热卖

NTR4503NT1G产品详细规格

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS） 30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 1.5A

Rds（最大）@ ID，VGS 110 mOhm @ 2.5A， 10V

VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 7nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的 250pF @ 24V

功率 - 最大 420mW

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 30 V

最大连续漏极电流 2 A

RDS -于 110@10V mOhm

最大门源电压 ±20 V

典型导通延迟时间 5.8|4.8 ns

典型上升时间 5.8|6.7 ns

典型关闭延迟时间 14|13.6 ns

典型下降时间 1.6|1.8 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

最大门源电压 ±20

欧盟RoHS指令 Compliant

最高工作温度 150

标准包装名称 SOT-23

最低工作温度 -55

渠道类型 N

封装 Tape and_Reel

最大漏源电阻 110@10V

最大漏源电压 30

每个芯片的元件数 1

供应商封装形式 SOT-23

最大功率耗散 730

最大连续漏极电流 2

引脚数 3

铅形状 Gull-wing

FET特点 Logic Level Gate

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 1.5A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

其他名称 NTR4503NT1GOSTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 110 mOhm @ 2.5A， 10V

FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 420mW

漏极至源极电压（Vdss） 30V

输入电容（Ciss ） @ VDS 250pF @ 24V

闸电荷（Qg ） @ VGS 7nC @ 10V

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

类别 Power MOSFET

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm

身高 1.01mm

长度 3.04mm

最大漏源电阻 140 mΩ

最高工作温度 +150 °C

最大功率耗散 0.73 W

最低工作温度 -55 °C

包装类型 SO-23

典型栅极电荷@ VGS 1.9 nC @ 4.5 V， 3.6 nC @ 10 V

典型输入电容@ VDS 130 pF @ 24 V， 135 pF @ 15 V

宽度 1.4mm

工厂包装数量 3000

产品种类 MOSFET

晶体管极性 N-Channel

配置 Single

源极击穿电压 +/- 20 V

连续漏极电流 2.5 A

正向跨导 - 闵 5.3 S

安装风格 SMD/SMT

RDS（ON） 105 mOhms

功率耗散 0.73 W

上升时间 5.8 ns， 6.7 ns

漏源击穿电压 30 V

RoHS RoHS Compliant

下降时间 5.8 ns， 6.7 ns

漏极电流（最大值） 2 A

频率（最大） Not Required MHz

栅源电压（最大值） ?20 V

输出功率（最大） Not Required W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.11 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 30 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :2.5A

Drain Source Voltage Vds :30V

On Resistance Rds(on) :140mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V

Threshold Voltage Vgs :1.75V

功耗 :730mW

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :MSL 1 - Unlimited

SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max :2.5mA

工作温度范围 :-55°C to +150°C

端接类型 :SMD

Voltage Vds Typ :30V

Voltage Vgs Max :1.75V

Voltage Vgs Rds on Measurement :10V

Weight (kg) 0.000008

Tariff No. 85412900

全球移动通信系统协会(GSMA)在其最新的《移动经济(Mobile Economy)》报告中预测，2020至2025年间，全球移动运营商的资本支出将达到1.1万亿美元，其中80%将用于5G网络。

　　GSMA会长马茨·葛瑞德(Mats Granryd)表示，围绕5G的炒作已经被现实所取代，因为“数以百万计的消费者已经在迁移”到下一代网络，并且“企业开始拥抱”包括“网络切片、边缘计算和低延迟服务”在内的创新。

　　该行业组织预测，包括制造业、公共事业、专业和金融服务在内的行业将从5G中获得最大收益，到2034年末可能为全球经济增加2.2万亿美元产值。

　　GSMA表示，继2019年的一系列发布后，截至今年1月底，已有24个国家或地区的46家运营商开始提供商用服务。它预测，到2025年底，五分之一的移动连接将接入5G网络。

　　尽管5G取得了长足进步，但4G到2019年底为止仍是最受欢迎的技术，占当时全球连接的52%。预计到2025年底，4G的份额有望增至56%。

　　该行业组织表示，到2019年底，移动技术和服务为全球GDP贡献了4.1万亿美元也即是4.7%的产值。预计到2024年底这一数字将达到4.9万亿美元(4.9%)，因为移动服务应用的扩大将提高生产力和效率。

　　移动生态系统在2019年直接和间接支持了超过3000万个工作岗位，并通过税收筹集了4900亿美元，为公共部门提供了大量资金。

　　GSMA的最新研究还显示，到2019年底，全球独立移动用户达到52亿，占世界人口的67%，并预测这一数字到2025年底将增至58亿，占世界人口的70%。

　　全球将近一半的人口(38亿人)已经接入了移动互联网服务，到2025年底，这一比例预计将达到61%(50亿人)。

鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。

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鑫锐电子（香港）是一家专业从事集成电路配套的供应商，在本行拥有多年的销售经验！备有大量现货库存，诚信为本，客户至上，为客户把产品的质量关！

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8月30日消息，近日有消息称奥迪将与比亚迪达成电池供货协议。

　　对此，比亚迪方面向媒体表示，双方确实在洽谈之中，但目前还没有结果。奥迪发言人则表示，该公司正在与几家电池供应商进行谈判，尚未做出决定。

　　据知情人士向媒体透露，奥迪和比亚迪还探讨了深化合作的可能性，包括成立一家合资企业，或入股比亚迪的电池业务部门，但目前尚未知悉谈判进展。

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