SI2301CDS-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI2301CDS-T1-GE3

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压（VDSS） 20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.1A

Rds（最大）@ ID，VGS 112 mOhm @ 2.8A， 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 10nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的 405pF @ 10V

功率 - 最大 1.6W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

渠道类型 P

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 20 V

最大连续漏极电流 2.3 A

RDS -于 112@4.5V mOhm

最大门源电压 ±8 V

典型导通延迟时间 11 ns

典型上升时间 35 ns

典型关闭延迟时间 30 ns

典型下降时间 10 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

最大门源电压 ±8

包装宽度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 860

最大漏源电压 20

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 112@4.5V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

最高工作温度 150

包装长度 3.04(Max)

引脚数 3

包装高度 1.02(Max)

最大连续漏极电流 2.3

封装 Tape and_Reel

铅形状 Gull-wing

P（ TOT ） 1.6W

匹配代码 SI2301CDS

单位包 3000

标准的提前期 15 weeks

最小起订量 3000

极化 P-CHANNEL

无铅Defin RoHS-conform

我（D ） 2.7A

V（ DS ） 20V

R（ DS上） 0.142Ohm

FET特点 Standard

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.1A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA

漏极至源极电压（Vdss） 20V

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 112 mOhm @ 2.8A， 4.5V

FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 1.6W

输入电容（Ciss ） @ VDS 405pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS 10nC @ 4.5V

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2301CDS-T1-GE3CT

类别 Power MOSFET

配置 Single

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

身高 1.02mm

长度 3.04mm

最大漏源电阻 0.112 Ω

最高工作温度 +150 °C

最大功率耗散 0.86 W

最低工作温度 -55 °C

包装类型 SOT-23， TO-236

典型栅极电荷@ VGS 3.3 nC V @ 2.5， 5.5 nC V @ 4.5

典型输入电容@ VDS 405 pF V @ 10

宽度 1.4mm

工厂包装数量 3000

产品种类 MOSFET

晶体管极性 P-Channel

源极击穿电压 +/- 8 V

连续漏极电流 2.3 A

安装风格 SMD/SMT

RDS（ON） 112 mOhms

功率耗散 860 mW

封装/外壳 TO-236-3

零件号别名 SI2301CDS-GE3

上升时间 35 ns

漏源击穿电压 20 V

RoHS RoHS Compliant

下降时间 35 ns

漏极电流（最大值） 2.3 A

频率（最大） Not Required MHz

栅源电压（最大值） ?8 V

输出功率（最大） Not Required W

噪声系数 Not Required dB

工作温度范围 -55C to 150C

极性 P

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

删除 Compliant

Continuous Drain Current Id :-3.1A

Drain Source Voltage Vds :-20V

On Resistance Rds(on) :142mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :2.5V

功耗 :860mW

Weight (kg) 0

Tariff No. 85412100

Threshold Voltage Vgs :-400mV

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :-3.1A

工作温度范围 :-55°C to +150°C

Voltage Vgs Max :8V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.1A (Tc)

associated SI2301CDS-T1-GE3

众所周知，Wi-Fi 6可以说是目前科技领域最热门的流行词汇之一，眼下Wi-Fi 6刚开始普及的时候，科学家们已经开始着手推进Wi-Fi 7了。

　　据悉，Wi-Fi 6的速度可达到9.6 Gbps，而Wi-Fi 5的速度则为3.5 Gbps，可见提升的幅度还是非常明显的。

　　不过Wi-Fi 7速度可高达每秒30Gbits，也就是说可以提供更好的流媒体视频，覆盖更长的距离，并且减少拥堵问题。

　　对于这个新的标准，Wi-Fi联盟目前还没有大范围推广。

　　目前来看，最新的三个Wi-Fi标准分别为IEEE 802.11n、802.11ac和802.11ax，分别被认证为Wi-Fi 4、Wi-Fi 5和Wi-Fi 6。

　　因此，802.11be是接收Wi-Fi 7标签的有力候选者。

　　将来，这种技术不仅数据传输速度更快，甚至能检测用户的物理位置和呼吸频率等。

　　我们可以想象一下这项技术未来的应用。比如当年长的老人独自在家时，如果在其房子里装上具备上述功能的WI-Fi，我们就能知道她的行为是否正常，以及是否摔倒了。

　　但这并不能保证Wi-Fi 7在发布时会增加人类探测功能。更不用说，下一个Wi-Fi标准发布至少还需要四年时间。

　　尽管如此，允许家庭网络检测到人类存在的可能性仍具有重要意义，因为它可以为更多创新打开大门。

香港鑫锐电子有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。

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