SI2301CDS-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI2301CDS-T1-GE3

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压（VDSS） 20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.1A

Rds（最大）@ ID，VGS 112 mOhm @ 2.8A， 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 10nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的 405pF @ 10V

功率 - 最大 1.6W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

渠道类型 P

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 20 V

最大连续漏极电流 2.3 A

RDS -于 112@4.5V mOhm

最大门源电压 ±8 V

典型导通延迟时间 11 ns

典型上升时间 35 ns

典型关闭延迟时间 30 ns

典型下降时间 10 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

最大门源电压 ±8

包装宽度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 860

最大漏源电压 20

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 112@4.5V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

最高工作温度 150

包装长度 3.04(Max)

引脚数 3

包装高度 1.02(Max)

最大连续漏极电流 2.3

封装 Tape and_Reel

铅形状 Gull-wing

P（ TOT ） 1.6W

匹配代码 SI2301CDS

单位包 3000

标准的提前期 15 weeks

最小起订量 3000

极化 P-CHANNEL

无铅Defin RoHS-conform

我（D ） 2.7A

V（ DS ） 20V

R（ DS上） 0.142Ohm

FET特点 Standard

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.1A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA

漏极至源极电压（Vdss） 20V

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 112 mOhm @ 2.8A， 4.5V

FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 1.6W

输入电容（Ciss ） @ VDS 405pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS 10nC @ 4.5V

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2301CDS-T1-GE3CT

类别 Power MOSFET

配置 Single

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

身高 1.02mm

长度 3.04mm

最大漏源电阻 0.112 Ω

最高工作温度 +150 °C

最大功率耗散 0.86 W

最低工作温度 -55 °C

包装类型 SOT-23， TO-236

典型栅极电荷@ VGS 3.3 nC V @ 2.5， 5.5 nC V @ 4.5

典型输入电容@ VDS 405 pF V @ 10

宽度 1.4mm

工厂包装数量 3000

产品种类 MOSFET

晶体管极性 P-Channel

源极击穿电压 +/- 8 V

连续漏极电流 2.3 A

安装风格 SMD/SMT

RDS（ON） 112 mOhms

功率耗散 860 mW

封装/外壳 TO-236-3

零件号别名 SI2301CDS-GE3

上升时间 35 ns

漏源击穿电压 20 V

RoHS RoHS Compliant

下降时间 35 ns

漏极电流（最大值） 2.3 A

频率（最大） Not Required MHz

栅源电压（最大值） ?8 V

输出功率（最大） Not Required W

噪声系数 Not Required dB

工作温度范围 -55C to 150C

极性 P

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

删除 Compliant

Continuous Drain Current Id :-3.1A

Drain Source Voltage Vds :-20V

On Resistance Rds(on) :142mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :2.5V

功耗 :860mW

Weight (kg) 0

Tariff No. 85412100

Threshold Voltage Vgs :-400mV

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :-3.1A

工作温度范围 :-55°C to +150°C

Voltage Vgs Max :8V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.1A (Tc)

associated SI2301CDS-T1-GE3

近日，为促进我国移动通信产业发展和科技创新，推动第六代移动通信（6G）技术的研发工作，科技部会同发展改革委、教育部、工业和信息化部、中科院、自然科学基金委在北京召开了6G技术研发工作启动会。这也意味着，国内的6G技术研发工作正式启动。

在军工领域，有这么一句话，即装备一代、研发一代、预研一代，这样的发展节奏才能够保证军事装备的研究进度更加合理，既不会激进，也不会落后。通信行业，亦是如此。虽然在11月3日正式启动6G技术研发工作，但早在2017年底，国内便已经启动了对6G技术的研究。

不过，这也是有惯例可寻的。毕竟，2009年1月7日，工信部才刚发放国内的3G牌照，华为、中兴等企业便已经启动了5G的研究。

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从历史经验来看，每一代通讯技术几乎是十年升一级，而在过去因国内的通信技术一直处于追赶状态，所以在3G、4G到5G的过渡期才会显得特别快。但从全球的通信产业来看，十年一升级的节奏并未有所改变。

以此来看，5G技术将会适用于2020-2030年，而6G技术将在2030-2040年得到普及。虽然是十年以后的通信技术，但在一些指标上，国际上已经初步给出了相应的发展标准。

在全球首届6G峰会上，来自各国的70位顶尖通信专家齐聚芬兰，召开了一次闭门会议，共同拟定全球首份6G白皮书，明确6G发展基本方向。

白皮书给出了几个衡量6G技术的关键指标，峰值传输速度达到100Gbps-1Tbps（5G仅为10Gpbs）；室内定位精度10厘米，室外为1米，相较5G提升10倍；通信时延0.1毫秒，为5G的十分之一；拥有超高可靠性，中断几率小于百万分之一；超高密度，连接设备密度可达每立方米过百个。

此外，6G将覆盖太赫兹波，网络容量得到大幅提升。从覆盖范围来看，将实现地面、卫星和机载网络的无缝连接。当然，如此高的频段，也导致未来对信号如何无缝覆盖，将成为研究重点。

不过，也有业内人士透露，从上世纪七八十年代数字信号开始普及至今，到5G以来，已经将人类近百年的通信理论发展成果消耗殆尽，除非基础理论（香农定理）出现颠覆性突破，不然未来的通信技术无非是宽带更宽、天线更密集等。这意味着基础理论没有突破，通信技术的研发迭代便会受到限制。

但这也正是国家为何启动6G研发的原因之一，并且规格如此之高，甚至于与北斗项目相提并论，足以看出国家对于6G的重视。从王曦副部长近期关于6G的评论可以看出，目前全球6G技术研究仍处于探索起步阶段，技术路线尚不明确，关键指标和应用场景还未有统一的定义。在国家发展的关键时期，要高度重视、统筹布局、高效推进、开放创新。

同时，值得注意的是，过去国内5G技术研发，是由工信部牵头，发改委、科技部参与。而此次的6G标准则是由科技部牵头，还多了教育部、自然基金委、中科院等几个部门，可以看出国家对于6G技术的势在必得。

过去通信发展道路上，我国的一直处于追赶状态，而今在5G技术才取得了一定的领先优势。作为行业技术的领导者，中国的责任也越发重大，但在如今通信理论过往的成果已经基本消耗的完毕的情况下，开展6G技术研究对于技术创新的压力也将更加巨大，或许真正的考验现在才刚刚开始。

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