零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.8V @ 72μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 58nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 40V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），114W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TDSON-8-7

封装/外壳 8-PowerTDFN