IXSN80N60BD1产品详细规格/IXSN80N60BD1免费中文参数

2018-3-17 11:31:00
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文档 IGBT's S Class Type 23/Apr/2013

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 10

IGBT 型 -

配置 Single

电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 80A

- 集电极电流(Ic)(最大) 160A

电流 - 集电极截止(最大) 200µA

Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.6nF @ 25V

功率 - 最大 420W

输入 Standard

NTC Thermistor No

安装类型 Chassis Mount

包/盒 SOT-227-4, miniBLOC

供应商器件封装 SOT-227B

输入电容(Cies ) @ Vce时 6.6nF @ 25V

电流 - 集电极( Ic)(最大) 160A

安装类型 Chassis Mount

电流 - 集电极截止(最大) 200µA

标准包装 10

Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.5V @ 15V, 80A

电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V

供应商设备封装 SOT-227B

功率 - 最大 420W

封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC

输入 Standard

配置 Single

NTC热敏电阻 No

工厂包装数量 10

连续集电极电流Ic最大 160 A

系列 IXSN80N60

单位重量 1.340411 oz

集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V

安装风格 SMD/SMT

封装 Tube

最大栅极发射极电压 +/- 20 V

最低工作温度 - 55 C

最高工作温度 + 150 C

RoHS RoHS Compliant