类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 DTMOSII

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 10A，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220SIS

封装/外壳 TO-220-3 整包