类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 10µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1010pF @ 25V

Vgs（最大值） ±12V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 17.5 毫欧 @ 8.3A，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6