STB8NM60 TO263 ST意法 600V8A N沟道 功率MOS管 场效应管 晶体管
制造商: STMicroelectronics 最小包装量: 1000PCS
封装: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 包装: Tape & Reel (TR)
类别: FET - 单路 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
参数 数值
系列 MDmesh™
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
功率 - 最大值 100W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 380pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 18nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 Ohm @ 2.5A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 600V
一般信息
数据列表 ST(B,P)8NM60D;
标准包装 1,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 MDmesh™
其它名称 497-5244-2
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 380pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 100W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 2.5A,10V
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
联系方式 :
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
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