CL1553是一款性能优异的非隔离降压型驱动器，内部集成500V功率MOSFET，在85Vac~265Vac输入电压范围内，可以实现高精度的LED恒流驱动。芯片自带有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。芯片工作于电感电流临界连续模式，减小了开关损耗。 CL1553集成了多种保护功能，极大的加强了系统的可靠性。保护功能包括LED开路保护、LED短路保护、芯片电源欠压锁定，电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有的保护都带有自动重启功能。此外，CL1553还集成有过温调节功能，在驱动电源过热时减小输出电流。

CL1553特点：

◆3%LED输出电流精度

◆集成500V功率MOSFET

◆有源功率因数校正

◆电感电流临界连续模式

◆系统效率：95%

◆启动电流：33uA（典型值）

◆优异的线性调整率和负载电压调整率

◆逐周期电流限制 LED

◆开、短路保护

◆电流采样电阻开路保护

◆欠压锁定（UVLO）

◆过温调节功能

◆自动重启功能

◆CL1553采用ESOP-8

CL1553应用范围：

◆球泡灯、射灯 LED PAR30

◆、PAR38灯 LED

◆日光灯

◆其他LED照明

三星电子不只备战6纳米，还打算在2020年进入4纳米?韩国消息称，三星砸下10亿美元投资美国德州奥斯汀厂，替制程微缩备战。

  韩媒The Investor 27日报导，本月三星电子将斥资10亿美元投资德州奥斯汀厂，该厂房负责制造用于移动设备的系统单芯片(SoC)等。PhoneArena消息显示，奥斯汀厂是苹果A系列处理器的重要生产基地。

  三星同时公布了晶圆代工的发展路径，当前主力为第二代10纳米Fin FET，今年准备进一步研发8纳米，2018年进入7纳米，2020年转入4纳米。三星认为第四波工业革命即将到来，届时物联网应用将遍地开花，高效能芯片需求倍增，因此提前做好准备。

  在此之前已有消息称，三星将跳级研发6纳米制程，预定2019年量产。

  据传台积电7纳米微缩制程大幅超前三星电子，成功夺走高通7纳米处理器大单。韩国消息称，三星恨得牙痒痒，打算直攻6纳米制程扳回一城。

  韩媒etnews 27日报导，台积电花最少精力研发10纳米，跳级直取7纳米的策略奏效，抢走三星的高通订单。三星心有不甘，打算从10纳米，直攻6纳米制程，目标2019年量产。据传三星晶圆代工部门心知无力挽回转单，重心放在6纳米，今年将装设两台艾司摩尔(ASML)极紫外光(EUV)微影设备“NXE3400B”，明年还会装设7台。

  韩媒Investor引述etnews报导，业界人士表示，尽管三星晶圆代工部门痛失高通订单，但是由于台积7纳米制程更省电、表现更好，三星移动通讯部门应该会使用次代高通处理器。由此看来，明年Galaxy S9旗舰机也许会和今年的S8一样，继续并用高通芯片和三星自家的Exynos处理器。

  MoneyDJ新闻5月10日报导，据了解，台积电10纳米制程今年已成功量产，7纳米于今年初完成技术验证，第二季进入试产阶段，预计明(2018)年进入量产;后(2019)年则预计推出采用部分EUV制程的7+纳米并导入量产，至于5纳米目前已开始进行研发，预计2019年上半年可进入试产。

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