Silicon PIN Photodiode;_in SMT and_as Reverse Gullwing

2017-6-27 12:09:00
  • Silicon PIN Photodiode;_in SMT and_as Reverse Gullwing

2003-02-042 BPW34, BPW34S, BPW34

S (E9087) Grenzwerte Maximum Ratings

BezeichnungParameter SymbolSymbol WertValue EinheitUnit BPW34SBPW34S (E9087)

BPW34Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature rangeTop; Tstg– 40…+ 100 – 40…+ 85°CSperrspannungReverse voltage VR32 VVerlustleistung, TA = 25 °CTotal power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)BezeichnungParameter SymbolSymbol WertValueEinheitUnitFotoempfindlichkeit, VR = 5 VSpectral sensitivity S 80 (≥ 50)nA/IxWellenlänge der max. FotoempfindlichkeitWavelength of max. sensitivity λS max2003-02-04850nmSpektraler Bereich der FotoempfindlichkeitS = 10% von Smax Spectral range of sensitivityS = 10% of Smax λ 400…1100 nm Bestrahlungsempfindliche FlächeRadiant sensitive area A7.00mm2Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive areaL×BL×W 2.65×2.65 mm×mm HalbwinkelHalf angle ϕ ±60Graddeg.Dunkelstrom, VR = 10 VDark current IR2 (≤ 30)nASpektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nmSpectral sensitivity Sλ 0.62A/WQuantenausbeute, λ = 850 nmQuantum yield η 0.90 ElectronsPhoton

BPW34, BPW34S, BPW34

S (E9087) 2003-02-04

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