制造商： Vishay 最小包装量： 1PCS

封装： TO-220-3 包装： Tube

类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 不符合

产品描述： MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

参数 数值

系列 -

封装/外壳 TO-220-3

功率 - 最大值 125W

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1300pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 63nC @ 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 850 mOhm @ 4.8A, 10V

FET 功能 Logic Level Gate

FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

漏源极电压 (Vdss) 500V

一般信息

数据列表 IRF840APBF;

Packaging Information;

标准包装 50

包装 管件

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

其它名称 *IRF840APBF

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1018pF @ 25V

Vgs（最大值） ±30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

联系方式 ：

企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

企业网站：www.xjsic.com

联系人：吴妙惠

电话：0755-23940365

传真：0755-88600656

手机：13590334401

QQ：3343956557

地址：深圳市福田区华强北都会轩1913