优势特价料号：HCPL-063L-560E

品牌：AVAGO

封装：SOP-8

器件类型：光隔离器 - 逻辑输出

通道数：2

输入 - 输入侧 1/输入侧 2：2/0

电压 - 隔离：3750Vrms

共模瞬态抗扰度（最小值）：10kV/µs

输入类型：DC

输出类型：开集，肖特基箝位

电流 - 输出/通道：50mA

数据速率：15MBd

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：75ns，75ns

上升/下降时间（典型值）：24ns，10ns

电压 - 正向（Vf）（典型值）：1.5V

电流 - DC 正向（If）：15mA

电压 - 电源：2.7 V ~ 3.6 V，4.5 V ~ 5.5 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

现货优势供应商：深圳市凌旭科技有限公司

联系人：张艳平（女士）

联系电话：0755-82797778 13692179527

联系地址：深圳市福田区华强北振兴西路华匀大厦二栋507室(高科德及深圳天虹附近)

现货库存数量：9000PCS

库存批次：13+

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美光第二代3D NAND年底大规模量产

今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。

对于3D NAND闪存，我们并不陌生，现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存，不论是性能还是容量或者是写入寿命，3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多，厂商也会借此降低成本，提高产量。以美光为例，他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的，MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb，而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb，TLC更是达到384Gb，大大高于2D NAND闪存。

　　在转向3D NAND方面，实力最强的三星跑得最快，东芝/闪迪、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比较慢的了，不过一旦3D NAND闪存开始量产，由于容量先天性的优势，产能超过2D NAND闪存是迟早的事。美光CFO Ernie Maddock在参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上就确认，该公司的3D NAND闪存产能与2D NAND闪存已经来到拐点上，也就是说3D闪存的产能（以bit容量计）要超过2D NAND闪存了。

Ernie Maddock还提到他们第一代3D NAND闪存在降低成本上已经达到预期目标，此前美光在今年上半年的路线图上指出3D NAND闪存比2D NAND降低至少20%的成本，现在已经实现了20-25%的成本降低。

对美光来说，好事还不止这一件，他们的第二代3D NAND闪存也要量产了，早前美光公布消息称第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工厂开始生产，相比目前的32层堆栈，第二代3D NAND闪存堆栈层数提升到64层，容量进一步提高，成本也会进一步降低30%。