家庭 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 *

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A，145A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 35μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1314pF @ 13V

功率 - 最大值 31W，50W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

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