IRFB4110PBF 选优配单专家

2016-8-13 11:19:00
  • 180 A, 100 V, 0.0045 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

端子数量 :3

最小击穿电压 :100 V

加工封装描述: 铅 FREE, 塑料 PACKAGE-3

无铅: Yes

欧盟RoHS规范: Yes

状态: ACTIVE

包装形状: 矩形的

包装尺寸: 凸缘安装

端子形式: THROUGH-孔

端子涂层: MATTE 锡 OVER 镍

端子位置: 单一的

包装材料 :塑料/环氧树脂

结构 单一的 :WITH BUILT-IN 二极管

壳体连接: DRAIN

元件数量: 1

晶体管应用 :开关

晶体管元件材料; 硅

通道类型 :N沟道

场效应晶体管技术: 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR

操作模式 :ENHANCEMENT

晶体管类型: 通用电源

最大漏电流: 180 A

额定雪崩能量 :190 mJ

最大漏极导通电阻: 0.0045 ohm

最大漏电流脉冲: 670 A

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